在電子設(shè)備的運(yùn)行中,晶振如同精準(zhǔn)的節(jié)拍器,為各類(lèi)電路提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保設(shè)備有條不紊地工作.而晶振抖動(dòng)作為衡量晶振性能的關(guān)鍵指標(biāo),正日益受到工程師們的高度關(guān)注.?晶振抖動(dòng),簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),是指晶振輸出信號(hào)在理想周期或頻率附近的短期波動(dòng).這種看似微小的波動(dòng),卻可能對(duì)電子設(shè)備的性能產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響.以通信系統(tǒng)為例,在5G甚至未來(lái)6G通信中,數(shù)據(jù)傳輸速率極高,對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性要求近乎苛刻.晶振抖動(dòng)一旦超出允許范圍,時(shí)鐘信號(hào)的邊緣位置就會(huì)發(fā)生偏移,導(dǎo)致數(shù)據(jù)采樣點(diǎn)偏離理想位置,極有可能在數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程中,使數(shù)據(jù)在錯(cuò)誤的時(shí)刻被采樣,進(jìn)而造成數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤,數(shù)據(jù)包的丟失或出錯(cuò)概率大增,嚴(yán)重影響通信質(zhì)量和數(shù)據(jù)傳輸效率.在高速串行接口,如PCIe,SerDes等中,低抖動(dòng)的晶振對(duì)于提升眼圖質(zhì)量,降低誤碼率起著決定性作用,直接關(guān)系到數(shù)據(jù)能否準(zhǔn)確,快速地傳輸.?在信號(hào)處理領(lǐng)域,晶振抖動(dòng)同樣不容小覷.在音頻處理設(shè)備中,若晶振抖動(dòng)過(guò)大,會(huì)引起信號(hào)相位的不穩(wěn)定,導(dǎo)致音頻信號(hào)頻譜的擴(kuò)展和不規(guī)則變化,使得音頻信號(hào)質(zhì)量下降,出現(xiàn)噪聲增加,聲音失真等問(wèn)題,極大地影響用戶(hù)的聽(tīng)覺(jué)體驗(yàn),在圖像處理系統(tǒng)里,這會(huì)讓圖像出現(xiàn)模糊,重影等瑕疵,降低圖像的清晰度和準(zhǔn)確性,無(wú)法滿(mǎn)足人們對(duì)高清畫(huà)質(zhì)的追求.?對(duì)于那些對(duì)時(shí)序要求極為嚴(yán)格的系統(tǒng),如實(shí)時(shí)控制系統(tǒng),高精度應(yīng)用晶振測(cè)量系統(tǒng),晶振抖動(dòng)更是關(guān)乎系統(tǒng)能否正常運(yùn)行的關(guān)鍵因素.在工業(yè)自動(dòng)化生產(chǎn)線的實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中,各個(gè)設(shè)備的協(xié)同工作依賴(lài)于精確的時(shí)鐘同步,如果晶振抖動(dòng)破壞了系統(tǒng)的時(shí)序性能,設(shè)備之間的協(xié)同就會(huì)出現(xiàn)混亂,可能導(dǎo)致生產(chǎn)停滯,產(chǎn)品質(zhì)量下降,給企業(yè)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟(jì)損失,在高精度測(cè)量系統(tǒng)中,如衛(wèi)星導(dǎo)航定位系統(tǒng),晶振抖動(dòng)會(huì)使測(cè)量結(jié)果產(chǎn)生偏差,無(wú)法實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位和導(dǎo)航,影響相關(guān)應(yīng)用的可靠性和安全性.?

精選優(yōu)質(zhì)晶體材料?

晶體材料作為晶振的核心組成部分,對(duì)晶振抖動(dòng)起著決定性作用.Cardinal晶振深刻認(rèn)識(shí)到這一點(diǎn),在材料選擇上設(shè)定了極為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn).?石英晶體憑借其卓越的壓電效應(yīng),高度的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性,以及極小的摩擦損失,成為晶振制造的理想材料.Cardinal晶振在全球范圍內(nèi)廣泛篩選優(yōu)質(zhì)石英礦石,對(duì)礦石的純度,晶格結(jié)構(gòu)完整性等關(guān)鍵指標(biāo)進(jìn)行嚴(yán)格把控,確保原材料的高品質(zhì).例如,從巴西,馬達(dá)加斯加等地采購(gòu)的石英礦石,在經(jīng)過(guò)多重檢測(cè)后,只有達(dá)到極高純度標(biāo)準(zhǔn),雜質(zhì)含量極低的礦石才會(huì)被選用,以保障晶體的電性能穩(wěn)定,為低抖動(dòng)晶振的制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ).?除了天然石英,Cardinal晶振還密切關(guān)注材料科學(xué)的前沿動(dòng)態(tài),積極探索新型晶體材料.如硅酸鋰等新型材料,其獨(dú)特的物理特性有可能為晶振性能帶來(lái)新的突破,Cardinal晶振通過(guò)與科研機(jī)構(gòu)合作開(kāi)展深入研究,評(píng)估這些材料在晶振制造中的可行性和優(yōu)勢(shì),致力于將最先進(jìn)的材料應(yīng)用于產(chǎn)品中,不斷提升晶振的抗抖動(dòng)性能.?

精湛制造工藝的把控?

制造工藝是影響晶振抖動(dòng)的另一個(gè)關(guān)鍵因素,Cardinal晶振在制造過(guò)程中運(yùn)用了一系列先進(jìn)技術(shù),并實(shí)施了嚴(yán)格的質(zhì)量控制.?在晶體生長(zhǎng)環(huán)節(jié),Cardinal晶振采用切向切割法,徑向切割法等先進(jìn)技術(shù),根據(jù)不同的產(chǎn)品需求,精準(zhǔn)控制晶體的生長(zhǎng)方向,尺寸和質(zhì)量.對(duì)于要求高精度,低抖動(dòng)晶振,采用切向切割法生長(zhǎng)大尺寸,高質(zhì)量的單晶,以確保晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的均勻性和穩(wěn)定性,有效降低因晶體結(jié)構(gòu)缺陷導(dǎo)致的抖動(dòng),而對(duì)于一些對(duì)頻率有特殊要求的小型晶振,則采用徑向切割法生產(chǎn)小尺寸,高頻率的晶振,滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求.?晶體切割與拋光工藝同樣至關(guān)重要.Cardinal晶振引進(jìn)先進(jìn)的激光切割和精密機(jī)械切割設(shè)備,這些設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)亞微米級(jí)別的切割精度,確保切割面的平整度和垂直度達(dá)到極高標(biāo)準(zhǔn),有效減少因切割誤差產(chǎn)生的應(yīng)力集中,進(jìn)而降低晶振抖動(dòng).在拋光環(huán)節(jié),通過(guò)優(yōu)化拋光工藝參數(shù),使晶體表面粗糙度達(dá)到納米級(jí),進(jìn)一步提升晶體的性能和穩(wěn)定性.?在頻率設(shè)計(jì)與調(diào)整方面,Cardinal晶振結(jié)合理論計(jì)算和大量的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,精確設(shè)計(jì)晶振的諧振頻率,溫度系數(shù),老化系數(shù)等參數(shù).同時(shí),采用激光微調(diào),電子微調(diào)等先進(jìn)技術(shù),對(duì)晶振頻率進(jìn)行精細(xì)調(diào)整,確保晶振在不同的工作環(huán)境下都能輸出穩(wěn)定且準(zhǔn)確的頻率信號(hào),將抖動(dòng)控制在極小的范圍內(nèi).?Cardinal晶振還構(gòu)建了一套全面且嚴(yán)格的質(zhì)量控制體系.從原材料入廠檢驗(yàn),到生產(chǎn)過(guò)程中的多道工序檢測(cè),再到成品的全性能測(cè)試,每一個(gè)環(huán)節(jié)都有嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和檢測(cè)流程.在原材料檢驗(yàn)階段,對(duì)石英晶體的純度,物理特性等進(jìn)行全面檢測(cè),在生產(chǎn)過(guò)程中,運(yùn)用高精度的檢測(cè)設(shè)備對(duì)晶體的切割尺寸,鍍膜厚度,電極質(zhì)量等關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和反饋調(diào)整,成品測(cè)試環(huán)節(jié),模擬晶振在各種極端環(huán)境下的工作狀態(tài),如高溫,低溫,高濕度,強(qiáng)電磁干擾等,確保產(chǎn)品在復(fù)雜環(huán)境下依然能保持低抖動(dòng),高性能.

電磁干擾的屏蔽與防護(hù)?

在現(xiàn)代電子設(shè)備密集的復(fù)雜電磁環(huán)境中,電磁干擾已成為影響晶振抖動(dòng)的重要因素之一.當(dāng)晶振周?chē)嬖趶?qiáng)電磁干擾源時(shí),如大功率無(wú)線通信設(shè)備,高頻開(kāi)關(guān)電源等,電磁干擾信號(hào)可能會(huì)通過(guò)空間輻射或電路傳導(dǎo)的方式耦合到晶振電路中,干擾晶振的正常振蕩,導(dǎo)致晶振的頻率發(fā)生波動(dòng),進(jìn)而產(chǎn)生抖動(dòng).在一些無(wú)線通信設(shè)備內(nèi)部,多種射頻信號(hào)共存,若晶振電路的電磁屏蔽設(shè)計(jì)不完善,晶振很容易受到其他射頻信號(hào)的干擾,使時(shí)鐘信號(hào)出現(xiàn)不穩(wěn)定,影響通信信號(hào)的調(diào)制和解調(diào),導(dǎo)致通信質(zhì)量下降.?Cardinal晶振在電磁屏蔽方面采用了一系列先進(jìn)的技術(shù)手段.首先,在硬件設(shè)計(jì)上,Cardinal晶振為晶振配備了高性能的金屬屏蔽罩.這種屏蔽罩采用高導(dǎo)電率的金屬材料制成,如銅或鋁,能夠有效地阻擋外部電磁干擾信號(hào)的侵入.屏蔽罩將晶振完全包裹起來(lái),形成一個(gè)封閉的電磁屏蔽空間,使干擾信號(hào)在屏蔽罩表面產(chǎn)生感應(yīng)電流,通過(guò)接地將感應(yīng)電流引入大地,從而大大削弱了干擾信號(hào)對(duì)晶振的影響.在某款智能手機(jī)的電路設(shè)計(jì)中,對(duì)晶振采用金屬屏蔽罩后,晶振受到的外部電磁干擾降低了70%以上,有效提升了手機(jī)內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性,保障了手機(jī)各項(xiàng)功能的正常運(yùn)行.?Cardinal晶振還通過(guò)優(yōu)化電路布局來(lái)減少電磁干擾.在電路板設(shè)計(jì)過(guò)程中,Cardinal晶振將晶振放置在遠(yuǎn)離其他強(qiáng)干擾源的位置,如遠(yuǎn)離射頻電路,功率放大器等.同時(shí),合理規(guī)劃晶振的布線,縮短晶振信號(hào)線的長(zhǎng)度,減少信號(hào)傳輸過(guò)程中受到的電磁干擾.此外,在晶振電路周?chē)O(shè)置接地平面,形成電磁屏蔽層,進(jìn)一步降低電磁干擾對(duì)晶振的影響.在某款高端筆記本電腦的主板設(shè)計(jì)中,通過(guò)這些電路布局優(yōu)化措施,成功解決了因電磁干擾導(dǎo)致的晶振抖動(dòng)問(wèn)題,提高了電腦系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性.

Cardinal晶振抖動(dòng)高性能設(shè)計(jì)案例解析?

在5G通信基站建設(shè)的浪潮中,對(duì)晶振的性能要求達(dá)到了前所未有的高度.某知名通信設(shè)備制造商在其5G基站的設(shè)計(jì)中,選用了Cardinal的高精度,低抖動(dòng)晶振.?該基站所處的電磁環(huán)境極為復(fù)雜,周?chē)嬖诖罅康纳漕l信號(hào)干擾,同時(shí),基站內(nèi)部發(fā)熱量大,溫度變化范圍廣.在這樣嚴(yán)峻的條件下,Cardinal晶振憑借其先進(jìn)的電磁屏蔽技術(shù)和高效的散熱設(shè)計(jì),成功應(yīng)對(duì)了挑戰(zhàn).其金屬屏蔽罩有效阻擋了外部電磁干擾,優(yōu)化的電路布局進(jìn)一步減少了內(nèi)部電磁干擾的影響.先進(jìn)的溫度補(bǔ)償技術(shù)使得晶振在-40℃至85℃的寬溫度范圍內(nèi),頻率偏差始終控制在極小的范圍內(nèi),確保了基站時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性.?在實(shí)際運(yùn)行中,該5G基站的數(shù)據(jù)傳輸速率穩(wěn)定,誤碼率極低,相比之前使用的其他品牌晶振,數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性提高了20%,有效保障了5G網(wǎng)絡(luò)的高速,穩(wěn)定通信,為用戶(hù)帶來(lái)了流暢的通信體驗(yàn).?

汽車(chē)自動(dòng)駕駛系統(tǒng)是一個(gè)對(duì)安全性和可靠性要求極高的復(fù)雜系統(tǒng),晶振作為系統(tǒng)的關(guān)鍵時(shí)鐘源,其性能直接關(guān)系到自動(dòng)駕駛的安全性.某汽車(chē)制造企業(yè)在其最新的自動(dòng)駕駛汽車(chē)研發(fā)中,采用了Cardinal晶振.?汽車(chē)在行駛過(guò)程中,晶振要承受劇烈的震動(dòng),溫度的快速變化以及復(fù)雜的電磁環(huán)境.Cardinal晶振通過(guò)特殊的封裝設(shè)計(jì),增強(qiáng)了其抗震動(dòng)能力,確保在車(chē)輛行駛過(guò)程中內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定.在溫度補(bǔ)償方面,其精準(zhǔn)的溫補(bǔ)技術(shù)能夠快速響應(yīng)溫度變化,維持晶振頻率的穩(wěn)定.出色的電磁屏蔽性能有效抵御了汽車(chē)內(nèi)部各種電子設(shè)備產(chǎn)生的電磁干擾.?在實(shí)際道路測(cè)試中,搭載Cardinal晶振的自動(dòng)駕駛汽車(chē),其傳感器數(shù)據(jù)采集和處理的準(zhǔn)確性大幅提高,自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的決策更加精準(zhǔn),避障,跟車(chē)等功能的響應(yīng)速度和準(zhǔn)確性得到了顯著提升,為汽車(chē)自動(dòng)駕駛的安全性提供了有力保障.

Cardinal晶振抖動(dòng)高性能設(shè)計(jì)中不可忽視的關(guān)鍵要素

CPPC7L-B6-24.576TS	FIPO CPP	XO (Standard)	24.576 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7L-A7BR-200.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	200 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7B6-75.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	75 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-162.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	162 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-33.333TS	FIPO CPP	XO (Standard)	33.333 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-BP-12.096TS	FIPO CPP	XO (Standard)	12.096 MHz	CMOS	5V	±50ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7L-B6-30.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	30 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7L-A7B6-8.0PD	FIPO CPP	XO (Standard)	8 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-25.1658TS	FIPO CPP	XO (Standard)	25.1658 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-40.0000TS	FIPO CPP	XO (Standard)	40 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-B6-33.1776PD	FIPO CPP	XO (Standard)	33.1776 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7-A7BR-166.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	166 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-BP-2.5TS	FIPO CPP	XO (Standard)	2.5 MHz	CMOS	5V	±50ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7LZ-A7B6-81.1TS	FIPO CPP	XO (Standard)	81.1 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-1.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	1 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-41.6666TS	FIPO CPP	XO (Standard)	41.6666 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-B6-36.864TS	FIPO CPP	XO (Standard)	36.864 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7-A5B6-66.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	66 MHz	CMOS	5V	±100ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7-A7BP-24.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	24 MHz	CMOS	5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC5L-A7BP-25.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC5LZ-A7BP-33.0PD	FIPO CPP	XO (Standard)	33 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC5-A7BP-27.12TS	FIPO CPP	XO (Standard)	27.12 MHz	CMOS	5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC5L-A7BR-100.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	100 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC5-A7BP-40.68TS	FIPO CPP	XO (Standard)	40.68 MHz	CMOS	5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A5B6-32.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	32 MHz	CMOS	5V	±100ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7L-A7B6-25.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-32.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	32 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-11.392TS	FIPO CPP	XO (Standard)	11.392 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-24.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BP-4.352TS	FIPO CPP	XO (Standard)	4.352 MHz	CMOS	5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-12.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	12 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7Z-A7BR-4.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	4 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-25.0PD	FIPO CPP	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BP-50.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	50 MHz	CMOS	5V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-7.5TS	FIPO CPP	XO (Standard)	7.5 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-120.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	120 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7B6-28.636TS	FIPO CPP	XO (Standard)	28.636 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-60.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	60 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-25.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-134.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	134 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-127.6TS	FIPO CPP	XO (Standard)	127.6 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-B6-12.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	12 MHz	CMOS	5V	±100ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7L-A7BR-66.666TS	FIPO CPP	XO (Standard)	66.666 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7B6-3.6864TS	FIPO CPP	XO (Standard)	3.6864 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-14.7456TS	FIPO CPP	XO (Standard)	14.7456 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-B6-14.7456TS	FIPO CPP	XO (Standard)	14.7456 MHz	CMOS	5V	±100ppm	0°C ~ 70°C
CPPC7L-A7B6-32.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	32 MHz	CMOS	3.3V	±100ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BR-144.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	144 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A7BP-29.4912TS	FIPO CPP	XO (Standard)	29.4912 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-140.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	140 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7-A7BR-200.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	200 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A5BP-60.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	60 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7L-A5BP-62.5TS	FIPO CPP	XO (Standard)	62.5 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7L-A7BP-125.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	125 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A5BP-66.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	66 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7L-A5BR-16.896TS	FIPO CPP	XO (Standard)	16.896 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7L-A7BR-33.3333TS	FIPO CPP	XO (Standard)	33.3333 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A5BR-24.4196TS	FIPO CPP	XO (Standard)	24.4196 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-20°C ~ 70°C
CPPC7-A7BR-210.0TS	FIPO CPP	XO (Standard)	210 MHz	CMOS	5V	±25ppm	-40°C ~ 85°C
CPPC7L-A5BR-24.6945TS	FIPO CPP	XO (Standard)	24.6945 MHz	CMOS	3.3V	±25ppm	-20°C ~ 70°C

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